TMR傳感器是一種具有劃時(shí)代意義的磁電阻效應(yīng)傳感器，近些年在工業(yè)上得到了廣泛應(yīng)用。相比于AMR傳感器和GMR傳感器，TMR傳感器不但擁有更大的電阻變化率，還具備成本及功耗低，響應(yīng)頻率和靈敏度高等特點(diǎn)。

什么是隧穿磁電阻效應(yīng)？

? ? ? ? 由兩層鐵磁薄膜和中間絕緣層所組成的三明治結(jié)構(gòu)被稱為磁性隧道結(jié)。當(dāng)兩個(gè)鐵磁層的磁矩相對取向發(fā)生改變時(shí)，磁性隧道結(jié)的隧穿電阻將發(fā)生改變，這種現(xiàn)象就被稱為隧穿磁電阻效應(yīng)。TMR元件與GMR元件具有基本一致的結(jié)構(gòu)，但兩者的電流分別垂直和平行于膜面流過。

釘扎層具有固定的磁化方向，自由層的磁化方向則會根據(jù)外加磁場方向發(fā)生變化，TMR元件的電阻也隨之改變。當(dāng)自由層的磁化方向平行于釘扎層的磁化方向時(shí)，TMR元件具有最小的電阻值，經(jīng)過勢壘的電流高。相反，當(dāng)磁化方向反平行時(shí)，電阻顯著上升，經(jīng)過勢壘的電流低。

從量子力學(xué)角度講，當(dāng)兩層鐵磁層的磁化方向相互平行時(shí)，多數(shù)自旋子帶的電子會進(jìn)入另一磁性層中的多數(shù)自旋子帶的空態(tài)，少數(shù)自旋子帶的電子也將進(jìn)入另一磁性層中少數(shù)自旋子帶的空態(tài)，總的隧穿電流更大，器件呈低阻態(tài)。當(dāng)兩層鐵磁層的磁化方向呈反平行時(shí)，多數(shù)自旋子帶的電子會進(jìn)入另一磁性層中少數(shù)自旋子帶的空態(tài)，而少數(shù)自旋子帶的電子進(jìn)入另一磁性層中多數(shù)自旋子帶的空態(tài)，總的隧穿電流更小，器件呈高阻態(tài)。

關(guān)于TMR傳感器磁體

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